Revolución de la memoria: DRAM y NAND en un chip de bajo consumo
Científicos surcoreanos han diseñado un nuevo tipo de memoria no volátil con cambio de fase, sin las desventajas de las variedades anteriores de esta tecnología.
Nueva ROM
Beneficios de la tecnología
Desarrollado por científicos del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea Tecnología (KAIST) ) la memoria de cambio de fase (ROM) tiene una combinación óptima de las cualidades de la RAM y la memoria flash. Al igual que la DRAM, se caracteriza por una alta velocidad de funcionamiento y, al igual que la memoria flash NAND, es capaz de retener datos cuando se apaga la alimentación. Al mismo tiempo, la nueva ROM es superior a sus predecesoras en eficiencia energética y coste de producción.
Características del método
Tradicionalmente, fabricar memoria de fase variable ha sido una tarea costosa y energética. proceso de consumo. La transición de un material de un estado cristalino a uno amorfo requirió una importante generación de calor, lo que impidió el ahorro de energía. Los intentos anteriores de reducir los costes energéticos se han limitado a reducir el tamaño del dispositivo mediante métodos litográficos, con sólo efectos menores.
El profesor Shinhyun Choi y su equipo han desarrollado una forma de miniaturizar solo los componentes directamente involucrados en el cambio de fase mediante la creación de un cambiar nanocables. El nuevo enfoque permitió reducir el consumo de energía 15 veces en comparación con la ROM convencional con una reducción significativa de los costos de producción.
Características guardadas
A pesar de la modernización, la nueva memoria conserva muchas de las propiedades de la ROM tradicional: alta velocidad, alta relación de conmutación, desviaciones mínimas de parámetros y la capacidad de almacenamiento de datos de varios niveles.
Los resultados de la investigación del equipo de Shinhyun Choi se publicaron en la edición de abril de la revista Nature y, según los científicos, se convertirán en la base para un mayor desarrollo de la ingeniería electrónica.
Glosario
- KAIST (Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea) es una universidad de investigación líder en Corea del Sur.
- DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio) es un tipo de RAM en computadoras y dispositivos móviles para el almacenamiento temporal de datos.
- NAND (puerta NAND) es una arquitectura de memoria flash para almacenamiento de datos persistente.
- SSD (unidad de estado sólido) es un dispositivo de almacenamiento no volátil basado en memoria flash.
- PCM (memoria de cambio de fase) es un tipo de memoria de computadora no volátil.
Enlaces
Preguntas respondidas
¿Qué es la memoria de cambio de fase (PCM) y cómo funciona?
¿Cuál es el problema con la memoria de cambio de fase tradicional?
¿Qué nuevo método han desarrollado los investigadores de KAIST para reducir el consumo de energía del PCM?
¿Cuáles son las ventajas de la nueva memoria de cambio de fase?
¿Qué perspectiva abre esta investigación?
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Discusion del tema – Revolución de la memoria: DRAM y NAND en un chip de bajo consumo
Investigadores de Corea del Sur han desarrollado un nuevo tipo de memoria de cambio de fase (PCM) que combina las ventajas de la memoria flash DRAM y NAND con un consumo reducido de energía.
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8 comentarios
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Александр
¡Esto es realmente interesante! Un nuevo tipo de memoria de cambio de fase elaborado por científicos coreanos parece prometedor. 🔥 ¡Reducir 15 veces el consumo de energía y reducir el costo de producción es un gran paso adelante!
София
Sí, este es un gran avance en el campo de la memoria de computadora. La tecnología combina las ventajas de la memoria flash DRAM y NAND. La alta velocidad y la independencia energética son la combinación perfecta. 💻
Виктор
El enfoque innovador de los ingenieros coreanos que utilizan nanofilamentos es impresionante. Reducir solo los componentes clave nos permitió lograr tales resultados. 🤖 Me pregunto cuándo comenzará a utilizarse en la práctica la nueva memoria.
Антон
En general, todas estas tendencias novedosas me parecen divertidas y sin sentido... 🙄 ¿Por qué vallar un jardín con nanotecnologías complejas? La vieja RAM me queda muy bien.
Елена
Antón, ¡estás equivocado! 😀 Este desarrollo podría ser revolucionario para la tecnología informática. Imagínese cómo cambiará el rendimiento y la autonomía de los dispositivos con dicha memoria.
Мартин
Y escuché que esta memoria se puede usar no solo en computadoras, sino también en varios sistemas integrados. 💡 ¡Las posibilidades son casi infinitas!
Анна
Sí, una tecnología muy prometedora. Será interesante ver cómo afectará esto al desarrollo de la inteligencia artificial y el aprendizaje automático, que requieren una enorme potencia informática. 🧠
Пётр
Trabajo en TI y estoy deseando implementar esta memoria. Podría ser un verdadero avance en el campo de la computación en la nube y el almacenamiento de datos. 📶 ¡La memoria rápida y energéticamente eficiente es el sueño de cualquier desarrollador!